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  • 制 造 商:Infineon(英飛凌)
  • 出廠封裝:TO-263-3,D2Pak
  • 功能類別:FET - 單
  • 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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    Infineon英飛凌公司完整型號: IPB80N06S2L07ATMA3

    制造廠家名稱: Infineon Technologies

    功能總體簡述: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

    系列: OptiMOS?

    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能: 邏輯電平門

    漏源極電壓(Vdss): 55V

    電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 80A(Tc)

    不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 6.7 毫歐 @ 60A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 150μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 130nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 3160pF @ 25V

    功率 - 最大值: 210W

    安裝類型: 表面貼裝

    封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

    供應商器件封裝: PG-TO263-3-2



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